Numero ng Produkto ng Tagagawa:
EMA11T2R
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
EMA11T2R-DG
Paglalarawan:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
Detalyadong Paglalarawan:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Imbentaryo:
13522808
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
EMA11T2R Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
Bipolar (BJT), Mga Array ng Bipolar Transistor, Pre-Biased
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
100mA
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
500nA
Dalas - Paglipat
250MHz
kapangyarihan - Max
150mW
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
EMT5
Base Numero ng Produkto
EMA11
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
8,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
RN2706JE(TE85L,F)
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
3000
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RN2706JE(TE85L,F)-DG
YUNIT PRESYO
0.05
URI ng Palitan
Direct
BILANG NG BAHAGI
RN2906,LF
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
5268
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RN2906,LF-DG
YUNIT PRESYO
0.03
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
