IMB1AT110
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

IMB1AT110

Product Overview

Tagagawa:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

IMB1AT110-DG

Paglalarawan:

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Detalyadong Paglalarawan:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6

Imbentaryo:

RFQ Online
13525895
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

IMB1AT110 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
Bipolar (BJT), Mga Array ng Bipolar Transistor, Pre-Biased
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
100mA
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
22kOhms
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
56 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
500nA
Dalas - Paglipat
-
kapangyarihan - Max
300mW
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
SC-74, SOT-457
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SMT6
Base Numero ng Produkto
IMB1

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
RN2603(TE85L,F)
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
6000
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RN2603(TE85L,F)-DG
YUNIT PRESYO
0.05
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
rohm-semi

FMG1AT148

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

rohm-semi

IMD2AT108

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

rohm-semi

UMD9NTR

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

rohm-semi

FMA5AT148

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5