Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
DR Congo
Argentina
Turkey
Romania
Lithuania
Norway
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finland
Belarus
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Montenegro
Taga ruso
Belgium
Sweden
Serbia
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Moldova
Alemanya
Netherlands
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
Pransiya
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Portugal
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanya
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
R6020ENZ1C9
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
R6020ENZ1C9-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
Imbentaryo:
RFQ Online
13527199
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
R6020ENZ1C9 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
120W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247
Package / Kaso
TO-247-3
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
R6020ENZ1C9
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
450
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFH42N60P3
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFH42N60P3-DG
YUNIT PRESYO
4.39
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
APT34M60B
TAGAPAGGAWA
Microchip Technology
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
APT34M60B-DG
YUNIT PRESYO
11.84
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IPW65R190C7XKSA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
220
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IPW65R190C7XKSA1-DG
YUNIT PRESYO
1.69
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
TK20N60W,S1VF
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
15
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TK20N60W,S1VF-DG
YUNIT PRESYO
2.83
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STW28N60M2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
96
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW28N60M2-DG
YUNIT PRESYO
1.56
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
RSS075P03FU6TB
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
RSS120N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP