Numero ng Produkto ng Tagagawa:
R6530ENXC7G
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
R6530ENXC7G-DG
Paglalarawan:
650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 30A (Ta) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
Imbentaryo:
978 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12997284
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
R6530ENXC7G Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tube
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
30A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 960µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2100 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
86W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220FM
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
R6530
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
846-R6530ENXC7G
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
2SK3812-ZP-E1-AZ
MP-25LZP
SIHK045N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
PJA3472B_R1_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
