Numero ng Produkto ng Tagagawa:
R8002KNXC7G
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
R8002KNXC7G-DG
Paglalarawan:
800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 1.6A (Ta) 28W (Tc) Through Hole TO-220FM
Imbentaryo:
948 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12996693
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
R8002KNXC7G Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tube
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
28W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220FM
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
R8002
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
846-R8002KNXC7GCT
846-R8002KNXC7GDKR
846-R8002KNXC7GDKR-DG
846-R8002KNXC7G
846-R8002KNXC7GCT-DG
846-R8002KNXC7GTR-DG
846-R8002KNXC7GTR
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
SISS5110DN-T1-GE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
PSMN070-200P,127
NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
SCT2450KEGC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
