RQ3E100GNTB
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

RQ3E100GNTB

Product Overview

Tagagawa:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

RQ3E100GNTB-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Imbentaryo:

3000 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
13526941
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

RQ3E100GNTB Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
30 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4.5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 15 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
8-HSMT (3.2x3)
Package / Kaso
8-PowerVDFN
Base Numero ng Produkto
RQ3E100

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet
RQ3E100GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
RQ3E100GNTBDKR
RQ3E100GNTBCT
RQ3E100GNTBTR
Standard na Pakete
3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
rohm-semi

R5016ANJTL

MOSFET N-CH 500V 16A LPTS

rohm-semi

RP1L055SNTR

MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6

rohm-semi

R6030ENX

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

rohm-semi

RSQ020N03TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6