Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
DR Congo
Argentina
Turkey
Romania
Lithuania
Norway
Austria
Angola
Slovakia
ltaly
Finland
Belarus
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Montenegro
Taga ruso
Belgium
Sweden
Serbia
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Moldova
Alemanya
Netherlands
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
Pransiya
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Portugal
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Espanya
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
SCT3040KLGC11
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
SCT3040KLGC11-DG
Paglalarawan:
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1200 V 55A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Imbentaryo:
988 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
13527214
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
SCT3040KLGC11 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tube
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
SiCFET (Silicon Carbide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
55A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
18V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1337 pF @ 800 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
262W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247N
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
SCT3040
Datasheet at Dokumento
Mga Mapagkukunan ng Disenyo
TO-247N Inner Structure
Mga Dokumento ng Pagiging maaasahan
MOS-3GTHD Reliability Test
Mga Datasheet
SCT3040KLGC11
TO-247N Taping Spec
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
RQ5C035BCTCL
MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3
RUF020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
RS1E320GNTB
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N