Numero ng Produkto ng Tagagawa:
SCT3120ALGC11
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
SCT3120ALGC11-DG
Paglalarawan:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Imbentaryo:
6940 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
13526426
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
Uiaz
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
SCT3120ALGC11 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tube
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
SiCFET (Silicon Carbide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
18V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
460 pF @ 500 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
103W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247N
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
SCT3120
Datasheet at Dokumento
Mga Mapagkukunan ng Disenyo
Mga Dokumento ng Pagiging maaasahan
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
Q12567120
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
RTM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
