Numero ng Produkto ng Tagagawa:
VT6J1T2CR
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
VT6J1T2CR-DG
Paglalarawan:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Detalyadong Paglalarawan:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Imbentaryo:
13525132
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
VT6J1T2CR Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET na mga Hanay
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Last Time Buy
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Pag-configure
2 P-Channel (Dual)
Tampok sa FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
100mA
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15pF @ 10V
kapangyarihan - Max
120mW
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
6-SMD, Flat Leads
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
VMT6
Base Numero ng Produkto
VT6J1
Datasheet at Dokumento
Mga Mapagkukunan ng Disenyo
Mga Dokumento ng Pagiging maaasahan
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
VT6J1T2CRCT
VT6J1T2CRDKR
VT6J1T2CRTR
Standard na Pakete
8,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
EM6J1T2R
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
12037
DiGi BAHAGI NG NUMERO
EM6J1T2R-DG
YUNIT PRESYO
0.11
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
SH8M51GZETB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
TT8J13TCR
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8TSST
QS8J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
