Numero ng Produkto ng Tagagawa:
HN1C03FU-A(TE85L,F
Product Overview
Tagagawa:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
HN1C03FU-A(TE85L,F-DG
Paglalarawan:
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Detalyadong Paglalarawan:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Imbentaryo:
12889810
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
1pM0
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
HN1C03FU-A(TE85L,F Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
Bipolar (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Tagagawa
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng Transistor
2 NPN (Dual)
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
300mA
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 4mA, 2V
kapangyarihan - Max
200mW
Dalas - Paglipat
30MHz
Temperatura ng Pagpapatakbo
150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
US6
Base Numero ng Produkto
HN1C03
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
QSX8TR
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
300
DiGi BAHAGI NG NUMERO
QSX8TR-DG
YUNIT PRESYO
0.17
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
BC846ASQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
2SA1618-Y(TE85L,F)
TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV
ULN2803ANG4
TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
