Numero ng Produkto ng Tagagawa:
RN1701JE(TE85L,F)
Product Overview
Tagagawa:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
RN1701JE(TE85L,F)-DG
Paglalarawan:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Detalyadong Paglalarawan:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Imbentaryo:
9461 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12889375
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
RlPW
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
RN1701JE(TE85L,F) Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
Bipolar (BJT), Mga Array ng Bipolar Transistor, Pre-Biased
Tagagawa
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng Transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
100mA
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7kOhms
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Dalas - Paglipat
250MHz
kapangyarihan - Max
100mW
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
SOT-553
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
ESV
Base Numero ng Produkto
RN1701
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
RN1701JE(TE85LF)CT
RN1701JE(TE85LF)TR
RN1701JE(TE85LF)DKR
Standard na Pakete
4,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
RN2703,LF
PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
RN2713JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
