TPH3208PD
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

TPH3208PD

Product Overview

Tagagawa:

Transphorm

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

TPH3208PD-DG

Paglalarawan:

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB

Imbentaryo:

RFQ Online
13445848
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

TPH3208PD Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Transphorm
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
96W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220AB
Package / Kaso
TO-220-3

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet
TPH3208PS

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
50

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
STP33N60DM2
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
3750
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP33N60DM2-DG
YUNIT PRESYO
2.32
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Kaugnay na mga Produkto
transphorm

TPH3206LD

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

transphorm

TPH3206PSB

GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

transphorm

TPH3206LS

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

transphorm

TPH3202LD

GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN