Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IRF830AL
Product Overview
Tagagawa:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IRF830AL-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK
Imbentaryo:
13049710
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IRF830AL Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Vishay
Pagbabalot
-
Serye
-
Packaging
Tube
Katayuan ng Bahagi
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
500 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I2PAK
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
IRF830
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
*IRF830AL
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF830ALPBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF830ALPBF-DG
YUNIT PRESYO
0.89
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
2N6661JTXP02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK