Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IRF9Z10
Product Overview
Tagagawa:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IRF9Z10-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Imbentaryo:
13053840
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IRF9Z10 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Vishay
Pagbabalot
-
Serye
-
Packaging
Tube
Katayuan ng Bahagi
Active
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
43W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220AB
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
IRF9
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
*IRF9Z10
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRF9Z14PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
4806
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF9Z14PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.43
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
BILANG NG BAHAGI
IRF9Z10PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
1000
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRF9Z10PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.55
URI ng Palitan
Direct
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IRFB17N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
IRF730PBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
IRFD9113
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
