Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IRFD224
Product Overview
Tagagawa:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IRFD224-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Imbentaryo:
13053325
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IRFD224 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Vishay
Pagbabalot
-
Serye
-
Packaging
Tube
Katayuan ng Bahagi
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
250 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
4-HVMDIP
Package / Kaso
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Numero ng Produkto
IRFD224
Datasheet at Dokumento
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
*IRFD224
Standard na Pakete
100
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS non-compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFD224PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
2250
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFD224PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.51
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IRF9640SPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRFR9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
IRFR224TRR
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
