Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IRFL110PBF
Product Overview
Tagagawa:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IRFL110PBF-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
Imbentaryo:
13051736
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IRFL110PBF Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Vishay
Pagbabalot
-
Serye
-
Packaging
Tube
Katayuan ng Bahagi
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
100 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-223
Package / Kaso
TO-261-4, TO-261AA
Base Numero ng Produkto
IRFL110
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
4,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
ZVN4310GTA
TAGAPAGGAWA
Diodes Incorporated
DAMI NA BUMILI
4126
DiGi BAHAGI NG NUMERO
ZVN4310GTA-DG
YUNIT PRESYO
0.55
URI ng Palitan
MFR Recommended
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IRFR214TRLPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
IRF520STRR
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IRFU120
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
