SI7104DN-T1-E3

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

SI7104DN-T1-E3

Product Overview

Tagagawa:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

SI7104DN-T1-E3-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 12 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Imbentaryo:

RFQ Online

13058583

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

SI7104DN-T1-E3 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Vishay

Pagbabalot

Tape & Reel (TR)

Serye

TrenchFET®

Packaging

Tape & Reel (TR)

Katayuan ng Bahagi

Active

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

12 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

35A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

2.5V, 4.5V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2800 pF @ 6 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

PowerPAK® 1212-8

Package / Kaso

PowerPAK® 1212-8

Base Numero ng Produkto

SI7104

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete

3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

vishay

SI7439DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

vishay

SI7100DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

vishay

SQJA34EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

vishay

SI7636DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8