Numero ng Produkto ng Tagagawa:
SIHA6N80AE-GE3
Product Overview
Tagagawa:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
SIHA6N80AE-GE3-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Imbentaryo:
836 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
13140775
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
SIHA6N80AE-GE3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Vishay
Pagbabalot
Tube
Serye
E
Packaging
Tube
Katayuan ng Bahagi
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
422 pF @ 100 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
30W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220 Full Pack
Package / Kaso
TO-220-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
SIHA6
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
742-SIHA6N80AE-GE3TR-ND
742-SIHA6N80AE-GE3
742-SIHA6N80AE-GE3TR
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
SISS32LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
SIHG105N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
