Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
C3M0015065K
Product Overview
Tagagawa:
Wolfspeed, Inc.
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
C3M0015065K-DG
Paglalarawan:
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Imbentaryo:
964 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12939883
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
C3M0015065K Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Wolfspeed
Pagbabalot
Tube
Serye
C3M™
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
SiCFET (Silicon Carbide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
15V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 15.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
188 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+15V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5011 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
416W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-40°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247-4L
Package / Kaso
TO-247-4
Base Numero ng Produkto
C3M0015065
Datasheet at Dokumento
Datasheet
C3M0015065K
Mga Datasheet
C3M0015065K
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
-3312-C3M0015065K
1697-C3M0015065K
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
Not Applicable
Katayuan ng REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
NDCTR10120A
MOSFET N-CH 1200V 10A SMD
NTMJS0D9N04CTWG
MOSFET N-CH 40V 52A/342A 8LFPAK
NVTFS020N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
NVMFS6H852NLWFT1G
MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN