Numero ng Produkto ng Tagagawa:
DMN2310UT-13
Product Overview
Tagagawa:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
DMN2310UT-13-DG
Paglalarawan:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Imbentaryo:
13000516
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
DMN2310UT-13 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
1.8V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
38 pF @ 10 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
290mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-523
Package / Kaso
SOT-523
Base Numero ng Produkto
DMN2310
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
31-DMN2310UT-13TR
Standard na Pakete
10,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
DMN2310UTQ-7
TAGAPAGGAWA
Diodes Incorporated
DAMI NA BUMILI
2963
DiGi BAHAGI NG NUMERO
DMN2310UTQ-7-DG
YUNIT PRESYO
0.04
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
DMTH8008SFG-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
IPDQ60R025CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW
IPDQ60R015CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW