DMN2310UTQ-7
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

DMN2310UTQ-7

Product Overview

Tagagawa:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

DMN2310UTQ-7-DG

Paglalarawan:

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 20 V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-523

Imbentaryo:

2963 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12987631
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

DMN2310UTQ-7 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Diodes Incorporated
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
1.8V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
38 pF @ 10 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
290mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Kwalipikasyon
AEC-Q101
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SOT-523
Package / Kaso
SOT-523
Base Numero ng Produkto
DMN2310

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
31-DMN2310UTQ-7DKR
31-DMN2310UTQ-7TR
31-DMN2310UTQ-7CT
Standard na Pakete
3,000

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
DMN2310UT-13
TAGAPAGGAWA
Diodes Incorporated
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
DMN2310UT-13-DG
YUNIT PRESYO
0.04
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQP19N20-T

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3

global-power-technologies-group

GP2T080A120H

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

toshiba-semiconductor-and-storage

TW045N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 45MO

diodes

DMT15H017SK3-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&