Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IXFP4N100Q
Product Overview
Tagagawa:
IXYS
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IXFP4N100Q-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Imbentaryo:
261 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12819710
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IXFP4N100Q Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Littelfuse
Pagbabalot
Tube
Serye
HiPerFET™, Q Class
Katayuan ng Produkto
Not For New Designs
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1000 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
150W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
IXFP4N100
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFP5N100P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
41
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFP5N100P-DG
YUNIT PRESYO
2.41
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STP5NK100Z
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
3779
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STP5NK100Z-DG
YUNIT PRESYO
1.69
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IXFK120N25
MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
IXTP12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
IXTP15N20T
MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
