FDB2532
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FDB2532

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FDB2532-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

3812 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12839608
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FDB2532 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
PowerTrench®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
150 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
6V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5870 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
310W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FDB253

Datasheet at Dokumento

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
FDB2532CT
2156-FDB2532-OS
FDB2532TR
ONSFSCFDB2532
FDB2532DKR
2266-FDB2532
Standard na Pakete
800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQB7N60TM

MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

onsemi

FDMC7672S-F126

MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

onsemi

FQU2N100TU

MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

onsemi

MTY100N10E

MOSFET N-CH 100V 100A TO264