FQA10N80_F109

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQA10N80_F109

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQA10N80_F109-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

Imbentaryo:

RFQ Online

12836357

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

FQA10N80_F109 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

-

Serye

QFET®

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

800 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

9.8A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

1.05Ohm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2700 pF @ 25 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

240W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-3P

Package / Kaso

TO-3P-3, SC-65-3

Base Numero ng Produkto

FQA1

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete

450

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

onsemi

FQI7N60TU

MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK

5HN01C-TB-EX

MOSFET N-CH 50V 100MA CP3

onsemi

FDB120N10

MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK

onsemi

HUFA76437S3ST

MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK