FQAF8N80
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQAF8N80

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQAF8N80-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF

Imbentaryo:

12850481
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQAF8N80 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
107W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PF
Package / Kaso
TO-3P-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
FQAF8

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
360

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
IRFPE50PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
353
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFPE50PBF-DG
YUNIT PRESYO
2.07
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FQP8N90C

MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AO5404EL

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

onsemi

FDFME3N311ZT

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

onsemi

HUFA76409D3ST

MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA