Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQAF8N80
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQAF8N80-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 800 V 5.9A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-3PF
Imbentaryo:
12850481
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
drJb
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQAF8N80 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
800 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2350 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
107W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-3PF
Package / Kaso
TO-3P-3 Full Pack
Base Numero ng Produkto
FQAF8
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
360
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFPE50PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
353
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFPE50PBF-DG
YUNIT PRESYO
2.07
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQP8N90C
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
AO5404EL
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
FDFME3N311ZT
MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
