Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB13N06LTM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB13N06LTM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12846863
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB13N06LTM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
13.6A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
5V, 10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB1
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
STB16NF06LT4
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
1500
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STB16NF06LT4-DG
YUNIT PRESYO
0.57
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FQN1N60CTA
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
AO3420
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
FDMC3612
MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
