FQB17N08TM

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQB17N08TM

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQB17N08TM-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 80 V 16.5A (Tc) 3.13W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

RFQ Online

12837588

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

FQB17N08TM Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

-

Serye

QFET®

Katayuan ng Produkto

Obsolete

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

80 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

16.5A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 8.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

450 pF @ 25 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

3.13W (Ta), 65W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-263 (D2PAK)

Package / Kaso

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Base Numero ng Produkto

FQB1

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete

800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

onsemi

HUFA76432S3ST

MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK

onsemi

FQB6N70TM

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

onsemi

FQP3N60C

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3

onsemi

HUFA75429D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK