Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQB17P06TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQB17P06TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 60 V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Imbentaryo:
12840088
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQB17P06TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-263 (D2PAK)
Package / Kaso
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Numero ng Produkto
FQB1
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
800
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SPB18P06PGATMA1
TAGAPAGGAWA
Infineon Technologies
DAMI NA BUMILI
2030
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SPB18P06PGATMA1-DG
YUNIT PRESYO
0.44
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
FQPF7N40
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
MVSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
