Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQD2N90TM
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQD2N90TM-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Imbentaryo:
11464 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
12930578
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQD2N90TM Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
900 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-252AA
Package / Kaso
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Numero ng Produkto
FQD2N90
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
FQD2N90TMTR
FQD2N90TM-DG
FQD2N90TMCT
FQD2N90TMDKR
Standard na Pakete
2,500
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
HUF76609D3
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
HUFA75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
