Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQI12N60TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQI12N60TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 600 V 10.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Imbentaryo:
12836483
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQI12N60TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
600 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-262 (I2PAK)
Package / Kaso
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Numero ng Produkto
FQI1
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
1,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
AOW11N60
TAGAPAGGAWA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DAMI NA BUMILI
773
DiGi BAHAGI NG NUMERO
AOW11N60-DG
YUNIT PRESYO
0.82
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
3LN01C-TB-E
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
FQP13N50C
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
2SK4089LS
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI
