FQU13N06TU
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FQU13N06TU

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FQU13N06TU-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK

Imbentaryo:

12839793
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

FQU13N06TU Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FQU1

Karagdagang Impormasyon

Standard na Pakete
5,040

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
IRFU024PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
846
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFU024PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.64
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STD12NF06L-1
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
1913
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD12NF06L-1-DG
YUNIT PRESYO
0.25
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
onsemi

FDB3682

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263

onsemi

FDMC8884-F126

MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP

onsemi

FQD13N10LTM

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

onsemi

FQD20N06LTF

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK