Numero ng Produkto ng Tagagawa:
FQU13N06TU
Product Overview
Tagagawa:
onsemi
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
FQU13N06TU-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Imbentaryo:
12839793
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
FQU13N06TU Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
onsemi
Pagbabalot
-
Serye
QFET®
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
10A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
I-PAK
Package / Kaso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Numero ng Produkto
FQU1
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
5,040
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IRFU024PBF
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
846
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IRFU024PBF-DG
YUNIT PRESYO
0.64
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STD12NF06L-1
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
1913
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STD12NF06L-1-DG
YUNIT PRESYO
0.25
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
FDB3682
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
FDMC8884-F126
MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
FQD13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK