Numero ng Produkto ng Tagagawa:
EMB4T2R
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
EMB4T2R-DG
Paglalarawan:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Detalyadong Paglalarawan:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Imbentaryo:
13522782
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
EMB4T2R Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
Bipolar (BJT), Mga Array ng Bipolar Transistor, Pre-Biased
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Kasalukuyang - Collector (Ic) (Max)
100mA
Boltahe - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
-
DC Kasalukuyang Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max)
-
Dalas - Paglipat
250MHz
kapangyarihan - Max
150mW
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Package / Kaso
SOT-563, SOT-666
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
EMT6
Base Numero ng Produkto
EMB4T2
Datasheet at Dokumento
Mga Mapagkukunan ng Disenyo
Mga Dokumento ng Pagiging maaasahan
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
EMB4T2RCT
EMB4T2RDKR
EMB4T2RTR
EMB4T2R-ND
Standard na Pakete
8,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
RN2911FE(TE85L,F)
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
3975
DiGi BAHAGI NG NUMERO
RN2911FE(TE85L,F)-DG
YUNIT PRESYO
0.04
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
