Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
SCT2160KEC
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
SCT2160KEC-DG
Paglalarawan:
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Imbentaryo:
RFQ Online
13526905
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
SCT2160KEC Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
SiCFET (Silicon Carbide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1200 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
18V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 800 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
165W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247
Package / Kaso
TO-247-3
Base Numero ng Produkto
SCT2160
Datasheet at Dokumento
Mga Dokumento ng Pagiging maaasahan
MOS-2GTHD Reliability Test
Mga Datasheet
SCT2160KE
TO-247 Taping Spec
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
SCT2160KECU
Standard na Pakete
30
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFX40N90P
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFX40N90P-DG
YUNIT PRESYO
16.20
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
SCT2160KEHRC11
TAGAPAGGAWA
Rohm Semiconductor
DAMI NA BUMILI
424
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SCT2160KEHRC11-DG
YUNIT PRESYO
12.61
URI ng Palitan
Parametric Equivalent
BILANG NG BAHAGI
IXFH32N100X
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
1
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFH32N100X-DG
YUNIT PRESYO
13.16
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IXFH30N85X
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFH30N85X-DG
YUNIT PRESYO
7.43
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
MSC180SMA120B
TAGAPAGGAWA
Microchip Technology
DAMI NA BUMILI
2
DiGi BAHAGI NG NUMERO
MSC180SMA120B-DG
YUNIT PRESYO
6.17
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
RSD050N10TL
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
RS3E180ATTB1
MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
RJ1U330AAFRGTL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS