Numero ng Produkto ng Tagagawa:
SCT2H12NYTB
Product Overview
Tagagawa:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
SCT2H12NYTB-DG
Paglalarawan:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
Imbentaryo:
13526914
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
SCT2H12NYTB Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
ROHM Semiconductor
Pagbabalot
Tape & Reel (TR)
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
SiCFET (Silicon Carbide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
1700 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
18V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
184 pF @ 800 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
44W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-268
Package / Kaso
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base Numero ng Produkto
SCT2H12
Datasheet at Dokumento
Mga Dokumento ng Pagiging maaasahan
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
SCT2H12NYTBTR
SCT2H12NYTBCT
SCT2H12NYTBDKR
Standard na Pakete
400
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
RJ1U330AAFRGTL
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
RQ5E015RPTL
MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
RSH070N05TB1
MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
