Bahay
Mga Produkto
Mga Tagagawa
Tungkol sa DiGi
Makipag-ugnayan sa Amin
Mga Blog at Post
RFQ/Sipi
Filipino
Mag-sign in
Piling Wika
Kasalukuyang wika ng iyong pinili:
Filipino
Palitan:
English
Europa
Reyno Unido
Pransiya
Espanya
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Alemanya
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Taga ruso
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Griyego
Croatia
Ang Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asya / Pasipiko
Tsina
Ang Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos na ba
Pilipino
Malaysia
Korea
Hapon
HongKong
TaiWan
Ang Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Aprika,India at Gitnang Silangan
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
Timog Aprika
Ehipto
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
Timog Amerika / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Hilagang Amerika
Estados Unidos
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Tungkol sa DiGi
Tungkol Sa Amin
Tungkol Sa Amin
Ang Aming Mga Sertipikasyon
Panimula
Bakit DiGi
Patakaran
Patakaran sa Kalidad
Mga Tuntunin ng Paggamit
Pagsunod sa RoHS
Proseso ng Pagbabalik
Mga Yaman
Mga Kategorya ng Produkto
Mga Tagagawa
Mga Blog at Post
Mga Serbisyo
Garantiya ng Kalidad
Paraan ng Pagbabayad
Pandaigdigang Padala
Mga Bayarin sa Pagpapadala
Mga Madalas Itanong
Numero ng Produkto ng Tagagawa:
TPH3205WSB
Product Overview
Tagagawa:
Transphorm
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
TPH3205WSB-DG
Paglalarawan:
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 650 V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3
Imbentaryo:
RFQ Online
13445842
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
*
Kumpanya
*
Pangalan ng Contact
*
Telepono
*
E-mail
Address ng Paghahatid
Mensahe
(
*
) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
TPH3205WSB Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Transphorm
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
GaNFET (Gallium Nitride)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
650 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 400 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
125W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-247-3
Package / Kaso
TO-247-3
Karagdagang Impormasyon
Standard na Pakete
180
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
RoHS Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
TK39N60X,S1F
TAGAPAGGAWA
Toshiba Semiconductor and Storage
DAMI NA BUMILI
30
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TK39N60X,S1F-DG
YUNIT PRESYO
3.43
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
TP65H050WS
TAGAPAGGAWA
Transphorm
DAMI NA BUMILI
327
DiGi BAHAGI NG NUMERO
TP65H050WS-DG
YUNIT PRESYO
11.35
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
SCT30N120
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SCT30N120-DG
YUNIT PRESYO
14.70
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
IXFH60N65X2
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
0
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFH60N65X2-DG
YUNIT PRESYO
6.57
URI ng Palitan
Similar
BILANG NG BAHAGI
STW62N65M5
TAGAPAGGAWA
STMicroelectronics
DAMI NA BUMILI
600
DiGi BAHAGI NG NUMERO
STW62N65M5-DG
YUNIT PRESYO
8.29
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
TPH3208PD
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
TPH3206LD
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
TPH3206PSB
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
TPH3206LS
GANFET N-CH 600V 17A PQFN