IRFBE20PBF

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

IRFBE20PBF

Product Overview

Tagagawa:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

IRFBE20PBF-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Imbentaryo:

1496 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock

13049530

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

IRFBE20PBF Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

Vishay

Pagbabalot

Tube

Serye

-

Packaging

Tube

Katayuan ng Bahagi

Active

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

800 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

530 pF @ 25 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

54W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Through Hole

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-220AB

Package / Kaso

TO-220-3

Base Numero ng Produkto

IRFBE20

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

IRFBE20, SiHFBE20 IRF520PBF

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

*IRFBE20PBF

Standard na Pakete

50

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

vishay

IRFPC50LC

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

vishay

IRFR010TR

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

vishay

IRFBF30S

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay

IRF830AL

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK