Numero ng Produkto ng Tagagawa:
IRLD024PBF
Product Overview
Tagagawa:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
IRLD024PBF-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Imbentaryo:
1136 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
13053827
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
IRLD024PBF Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Vishay
Pagbabalot
Tube
Serye
-
Packaging
Tube
Katayuan ng Bahagi
Last Time Buy
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
4V, 5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 25 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
1.3W (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
4-HVMDIP
Package / Kaso
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Numero ng Produkto
IRLD024
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
*IRLD024PBF
Standard na Pakete
100
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
IRFP9140
MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3
IRF9Z10
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
IRFB17N60KPBF
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB