Numero ng Produkto ng Tagagawa:
SI1069X-T1-GE3
Product Overview
Tagagawa:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
SI1069X-T1-GE3-DG
Paglalarawan:
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
Detalyadong Paglalarawan:
P-Channel 20 V 940mA (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Imbentaryo:
13058569
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
SI1069X-T1-GE3 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Vishay
Pagbabalot
-
Serye
TrenchFET®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Katayuan ng Bahagi
Obsolete
Uri ng FET
P-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
20 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
940mA (Ta)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
2.5V, 4.5V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
184mOhm @ 940mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.86 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
308 pF @ 10 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
236mW (Ta)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Surface Mount
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
SC-89 (SOT-563F)
Package / Kaso
SOT-563, SOT-666
Base Numero ng Produkto
SI1069
Datasheet at Dokumento
Datasheet
Mga Datasheet
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
SI1069X-T1-GE3CT
SI1069X-T1-GE3TR
SI1069X-T1-GE3DKR
SI1069XT1GE3
Standard na Pakete
3,000
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
SI1077X-T1-GE3
TAGAPAGGAWA
Vishay Siliconix
DAMI NA BUMILI
15055
DiGi BAHAGI NG NUMERO
SI1077X-T1-GE3-DG
YUNIT PRESYO
0.09
URI ng Palitan
MFR Recommended
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
SI7104DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
SI7439DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
