FCB099N65S3

Numero ng Produkto ng Tagagawa:

FCB099N65S3

Product Overview

Tagagawa:

onsemi

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

FCB099N65S3-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

Detalyadong Paglalarawan:

N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Imbentaryo:

496 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock

12976027

Humiling ng Presyo

Dami
Minimum 1

(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras

IPASA

FCB099N65S3 Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

Tagagawa

onsemi

Pagbabalot

Tape & Reel (TR)

Serye

SuperFET® III

Katayuan ng Produkto

Not For New Designs

Uri ng FET

N-Channel

Teknolohiya

MOSFET (Metal Oxide)

Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)

650 V

Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C

30A (Tc)

Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)

10V

Rds Sa (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 740µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2480 pF @ 400 V

Tampok sa FET

-

Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)

227W (Tc)

Temperatura ng Pagpapatakbo

-55°C ~ 150°C (TJ)

Uri ng Pag mount

Surface Mount

Pakete ng Kagamitan sa Supplier

TO-263 (D2PAK)

Package / Kaso

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Base Numero ng Produkto

FCB099

Datasheet at Dokumento

Datasheet

Mga Datasheet

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan

488-FCB099N65S3DKR

488-FCB099N65S3CT

488-FCB099N65S3TR

2832-FCB099N65S3TR

Standard na Pakete

800

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS

ROHS3 Compliant

Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)

1 (Unlimited)

Katayuan ng REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI

NVB099N65S3

TAGAPAGGAWA

onsemi

DAMI NA BUMILI

1409

DiGi BAHAGI NG NUMERO

NVB099N65S3-DG

YUNIT PRESYO

2.12

URI ng Palitan

Parametric Equivalent

BILANG NG BAHAGI

FCB099N65S3

TAGAPAGGAWA

onsemi

DAMI NA BUMILI

496

DiGi BAHAGI NG NUMERO

FCB099N65S3-DG

YUNIT PRESYO

2.66

URI ng Palitan

Parametric Equivalent

DIGI Sertipikasyon

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Kaugnay na mga Produkto

onsemi

NTBS9D0N10MC

MOSFET N-CH 100V 14A/60A TO263

toshiba-semiconductor-and-storage

TK090Z65Z,S1F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L

vishay-siliconix

SIDR510EP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

vishay-siliconix

SIDR570EP-T1-RE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE